[프로필] 이금주 삼성전자 부사장

이금주 삼성전자 DS부문 반도체연구소 DRAM공정개발팀 부사장.ⓒ삼성전자

삼성전자는 6일 이금주 DS부문 반도체연구소 DRAM공정개발팀 부사장 등 부사장 59명, 상무 107명, 펠로우 2명, 마스터 19명 등 총 187명을 승진하는 내용의 2023년 정기 임원 인사를 단행했다.

1971년생인 이금주 부사장은 중앙대학교 화학과 학사와 동대학원 석사를 거친 DRAM 공정개발 전문가다. 1996년 메모리사업부로 입사해 경력을 쌓아왔으며 수세대에 걸쳐 공정 미세화 한계 극복을 위한 신공정개발 및 개발 제품 양산성 확보에 기여한 점을 인정 받아 승진했다.

주요 이력은 다음과 같다.

▲1971년생 ▲중앙대 화학과 석사 ▲메모리사업부 RS기술그룹 ▲메모리사업부 PE기술그룹 ▲반도체연구소 NRD공정기술1그룹 ▲반도체연구소 공정개발1P/J ▲반도체연구소 공정개발실 ▲삼성전자 반도체연구소 공정개발실장 ▲반도체연구소 DRAM TD팀 ▲반도체연구소 DRAM공정개발팀