삼성전자, 세계 첫 HBM4E 12단 샘플 출하…AI 메모리 선점 속도

HBM4 양산 이어 차세대 HBM4E 글로벌 고객사 공급

12단 48GB 제품…14Gbps 안정 동작·최대 16Gbps 지원

1c D램·4나노 로직 다이 적용…전력 효율 16% 개선

삼성전자가 세계 최초로 출하한 HBM4E 12단 제품 모습 1c D램과 4나노 로직 다이 적용으로 공정 안정성과 양산성을 동시에 확보했다.ⓒ삼성전자

삼성전자가 세계 최초로 차세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 공급했다. 지난 2월 HBM4 양산 출하에 이어 후속 제품인 HBM4E 샘플까지 가장 먼저 내놓으면서 AI 메모리 시장의 차세대 경쟁에서 주도권 확보에 나서는 모습이다.

삼성전자는 HBM4E 12단 샘플을 글로벌 고객사에 출하했다고 29일 밝혔다. HBM4E는 HBM4의 후속 제품으로, 차세대 AI 가속기와 대규모 언어모델(LLM) 기반 AI 시스템에 적용될 고성능 메모리다.

이번에 출하한 제품은 12단 적층 구조의 48GB 제품이다. 핀당 동작 속도는 14Gbps에서 안정적으로 구동되며, 최대 16Gbps까지 지원한다. 삼성전자에 따르면 이는 전작 HBM4 대비 20% 이상 향상된 수준이다. 단일 스택 기준 대역폭은 초당 3.6TB다.

용량도 확대됐다. HBM4E 12단 제품은 48GB 용량을 구현해 전작 대비 용량을 30% 이상 늘렸다. 삼성전자는 향후 고객사 수요에 맞춰 32GB 8단 제품과 64GB 16단 제품까지 라인업을 확대할 계획이다.

삼성전자는 이번 HBM4E에 1c(10나노급 6세대) D램과 자체 파운드리 4나노 로직 다이를 적용했다. 앞서 HBM4에서 검증한 공정 조합을 HBM4E에도 이어 적용해 공정 안정성과 양산성을 확보했다는 설명이다. 메모리와 파운드리, 시스템LSI, 첨단 패키징을 함께 보유한 삼성전자의 원스톱 공급 역량을 차세대 HBM 경쟁력으로 내세우고 있다.

전력 효율과 열 특성도 개선했다. 삼성전자는 저전력 설계와 패키징 구조 최적화를 통해 HBM4E의 에너지 효율을 전작 대비 16% 개선하고, 열 저항 특성을 14% 이상 낮췄다고 밝혔다. AI 데이터센터에서 전력 소모와 발열 문제가 커지는 만큼 HBM의 전력 효율과 열 제어 성능은 고객사 평가에서 중요한 요소로 꼽힌다.

이번 샘플 출하는 삼성전자가 HBM 시장에서 차세대 제품 로드맵을 앞당기고 있다는 점에서 의미가 있다. HBM은 AI 가속기의 성능을 좌우하는 핵심 부품으로, 엔비디아 등 글로벌 AI 반도체 업체의 공급망 진입 여부가 메모리 기업의 경쟁력을 가르는 핵심 변수가 되고 있다. 삼성전자는 HBM4 양산 출하에 이어 HBM4E 12단 샘플을 세계 최초로 공급하면서 차세대 제품 경쟁에서 선제 대응에 나섰다.

삼성전자는 이번 샘플 공급을 시작으로 고객 일정에 맞춰 HBM4E 양산 공급을 추진한다는 방침이다. 회사는 지난 2월 세계 최초로 HBM4를 양산 출하했으며, 현재 고객사 대상 공급을 확대하고 있다고 밝혔다.

황상준 삼성전자 메모리사업부 개발담당 부사장은 "HBM4 양산 성공에 이어 차세대 HBM4E 샘플 공급까지 차질 없이 완수했다"며 "기술 리더십과 생산 인프라 투자를 바탕으로 글로벌 AI 메모리 시장의 성장을 주도하겠다"고 말했다.