삼성 반도체, HBM 효과로 최대 실적…영업익 82% 책임졌다

DS 영업익 16.4조…DDR5·HBM 판매 확대로 메모리 '사상 최대'

HBM4 출하 앞두고 AI 메모리 승부…2나노 수주 확대도 예고

미국 텍사스주 테일러시에 건설 중인 삼성전자 반도체 공장. ⓒ삼성전자

삼성전자 반도체 사업이 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 등 고부가 제품 판매 확대에 힘입어 사상 최대 실적을 기록했다. AI 서버 수요가 메모리 업황을 끌어올리면서 삼성은 HBM을 중심으로 실적 엔진을 재가동했고, 차세대 HBM4 출하와 2나노 공정 수주 확대를 앞세워 AI 반도체 주도권 경쟁에 속도를 내겠다는 구상이다.

삼성전자는 29일 2025년 4분기 실적에서 DS(Device Solutions)부문 매출 44조원, 영업이익 16조4000억원을 기록했다고 공시했다. 전사 영업이익(20조1000억원) 가운데 약 82%를 DS부문이 책임지며 사실상 실적을 견인한 것이다.

메모리 부문은 범용 D램 수요 강세에 적극 대응하는 동시에 HBM 판매를 확대해 사상 최대 분기 매출과 영업이익을 달성했다. 서버용 DDR5와 기업용 SSD 등 고부가 제품 비중 확대, 메모리 가격 상승도 이익 증가에 기여했다. 업계에서는 AI 데이터센터 투자 확대와 함께 HBM을 포함한 고성능 메모리 시장이 삼성 반도체 실적의 핵심 축으로 자리 잡았다는 평가가 나온다.

삼성전자는 차세대 제품 전환도 본격화하고 있다. 회사는 컨퍼런스콜에서 HBM4가 품질 인증 단계에 진입했으며, 고객 요청에 따라 2월부터 양산 출하를 시작할 예정이라고 밝혔다. 올해 HBM 관련 매출은 전년 대비 3배 이상 성장할 것으로 전망하며, 고객 수요가 공급 능력을 상회하는 상황에서 중장기 물량 협의도 진행 중이라고 설명했다.

부진이 길었던 파운드리 사업에서도 반등 기대감이 제기된다. 삼성전자는 2나노 1세대 공정 양산을 본격화했고, AI·고성능컴퓨팅(HPC) 응용처를 중심으로 2나노 수주 과제가 전년 대비 130% 이상 확대될 것으로 기대하고 있다. 2나노 2세대 공정은 올해 하반기 양산을 목표로 개발이 진행 중이며, 주요 고객사들과 설계·테스트 협업도 병행하고 있다.

삼성전자는 미국 테일러 신공장에서 2나노 공정 기반의 반도체 양산을 준비 중이다. 지난해 테슬라와 24조원 규모의 반도체 공급 계약을 맺으며 자사 2나노에 대한 시장의 신뢰를 높인 바 있다. 최근에는 구글, AMD 등과 2나노 공정 기반 AI 칩 양산 협력을 논의 중인 것으로 전해졌다.

삼성은 이날 컨퍼런스콜을 통해 메모리와 파운드리, 첨단 패키징을 결합한 '원스톱 솔루션' 전략도 재차 부각했다. 로직 공정 기반 HBM 제품 개발과 양산 협력을 추진하는 한편, 턴키(일괄) 사업 모델을 통해 중장기적으로 의미 있는 성과를 창출하겠다는 구상이다.

투자도 반도체 중심으로 확대됐다. 삼성전자의 2025년 연간 시설투자는 52조7000억원으로, 이 가운데 DS부문이 47조5000억원을 차지했다. 4분기 시설투자만 20조4000억원에 달했으며 DS부문이 19조원을 집행했다. 삼성은 고부가 제품 수요 대응을 위한 첨단 공정 전환과 기존 라인 보완 투자에 집중하고 있다고 밝혔다.