장성진 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장이 12일 단행된 인사에서 부사장으로 승진했다. ◆ 약력 - 1965년생(52세) - 한국과학기술원 전자공학 석사 ◆주요경력 - 17.04 ~ 현 재 전 자 메모리사업부 DRAM개발실장 - 13.12 ~ 17.03 전 자 메모리사업부 DRAM개발실 DRAM설계팀장 - 11.12 ~ 13.12 전 자 메모리사업부 DRAM개발실 DRAM PE팀장 - 07.02 ~ 11.12 전 자 메모리사업부 DRAM개발실 DRAM설계팀內 - 00.09 ~ 07.01 전 자 메모리사업부 DRAM2,3,4,5팀 수석
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