삼성전자, 초격차 기술 전략으로 인텔 넘나

세계 최초 12기가비트 모바일 D램 양산...경쟁사와 격차 벌려

반도체 PC에서 모바일로 중심 이동...반도체 1위 인텔 넘어서나

전 세계 반도체 시장 점유율 톱5 ⓒIHS

삼성전자가 세계 최초로 12기가비트(Gb) 모바일 D램 양산에 성공한 것은 초격차기술로 경쟁사들을 압도하는 전략의 결과물이다. 반도체 시장이 PC에서 모바일로 중심 이동이 이뤄지고 있는 상황이어서 모바일에서의 강점을 등에 업고 세계 최대 반도체업체 인텔을 뛰어넘을지 주목된다.

9일 관련업계에 따르면 삼성전자는 모바일D램 뿐만 아니라 낸드플래시와 시스템반도체 등에서도 초격차기술로 앞서나가고 있다.

모바일D램은 주로 스마트폰이나 태블릿PC에 탑재되는 메모리반도체로 데이터 저장과 함께 모바일기기의 다양한 기능을 수행하는 역할을 한다. 모바일D램의 용량이 늘어나면 멀티태스킹과 초고화질(UHD) 콘텐츠 실행이 보다 용이해진다.

이번에 전 세계 최초로 양산에 성공한 12기가비트 모바일D램은 기존과 동일한 칩셋 크기에 용량과 성능을 크게 향상시킨 것이 특징이다. 기존 8기가비트 기반 제품은 칩 1개당 용량이 1기가바이트(GB)였지만 12기가비트 제품은 이보다 50% 증가한 1.5기가바이트(GB) 용량 구현이 가능하다.

이 때문에 업계 유일하게 칩 4개를 쌓아 올려 차세대 모바일기기에 탑재될 초대용량 6기가바이트 모바일 D램 패키지를 만들 수 있다. 앞으로 대용량 모바일 D램 수요가 증가할 것으로 보여 업계 유일의 12기가비트 모바일 D램은 희소성이 클 수밖에 없다.

회사측은 "현재 최신 프리미엄 모바일기기에 8Gb기반의 4GB(8GbX4) 모바일 D램에 탑재돼 왔는데 이번 제품을 통해 3GB(12GbX2)와 6GB(12GbX4) 모바일 D램 시장을 본격적으로 열어나갈 계획"이라고 말했다.

삼성전자는 낸드플래시에서도 3차원(3D) 구조의 'V낸드플래시'를 앞세워 경쟁사와의 격차를 더욱 벌려나가고 있다.

지난달 세계 최초로 '3세대(48단) V낸드 기술'을 적용, 256기가비트 3차원 V낸드 양산에 들어가는 등 용량과 성능을 높여 나가고 있는 상황이다. 현재까지 전 세계에서 유일하게 V낸드플래시를 양산하고 있는 업체로 이전 평면 구조 낸드플래시때와는 비교할 수 없는 차별화된 경쟁력을 과시하고 있다.

시스템반도체 분야에서도 업계 최초로 14나노 핀펫 공정을 적용한 모바일 애플리케이션프로세서(AP)를 양산하면서 경쟁력 향상과 수익성 개선 등 두 마리 토끼를 잡아가고 있다.

이러한 초격차 기술 전략으로 차별화된 경쟁력으로 이미 전 세계 종합 반도체 시장에서 1위를 굳건히 유지하고 있는 인텔마저 위협하고 있다.

시장조사기관 IHS에 따르면 삼성전자는 지난 2분기 103억6600만달러의 반도체 매출을 올려 시장 점유율 12%를 기록, 인텔(117억9700만달러·13.6%)과의 격차를 1.6%포인트로 줄였다.

양사의 점유율 차이가 1%대로 진입한 것은 이번 분기가 처음이다. 양사의 격차는 지난 2011년 6.9%포인트에서 지난해 3.4%포인트로 지속적으로 좁혀져 왔다. 그러던 것이 올 1분기에는 2.1%포인트로 줄어들더니 2분기에는 1%포인트대로 진입한 것이다.

이와 관련, 업계 한 관계자는 "최근 인텔과 삼성전자와의 격차 축소는 PC에서 모바일로의 변화 속 반도체의 현실을 반영한 것"이라며 "반도체 시장의 최강자였던 인텔은 변화에 제대로 대비하지 못한 반면 삼성은 변화에 잘 대응해 격차가 빠르게 좁혀져 이제는 역전도 가능해진 상황"이라고 말했다.