[컨콜] SK하이닉스 "4F² D램 기술 개발과 상용화 시점은 구분해야"

ⓒ

SK하이닉스가 차세대 D램 기술인 4F²(4에프스퀘어)와 3D D램의 상용화 시점을 기술적 완성도와 경제성을 고려해 결정하겠다고 밝혔다. SK하이닉스는 28일 3분기 실적발표 콘퍼런스콜에서 "기존 D램의 극한 미세화부터 4F²와 3D D램까지 단계별 기술 로드맵을 준비하고 있다"며 "각 기술의 완성도와 경제성을 확보하는 시점에 맞춰 적합한 제품에 적용할 계획"이라고 밝혔다.

회사는 현재 주력인 6F² 구조를 최대한 활용하면서 4F² 또는 3D D램 플랫폼으로 전환하는 기술 개발을 진행하고 있다고 설명했다. 극자외선(EUV) 기반 미세화 공정 혁신을 통해 기존 6F² 플랫폼을 추가 확장할 수 있는 기술적 여력도 확보했다는 입장이다. SK하이닉스는 "새로운 셀 구조를 실제 제품에 적용하려면 성능뿐 아니라 수율과 신뢰성, 원가 경쟁력을 확보하고 제품 설계와 고객 평가까지 거쳐야 한다"며 "기술 구현과 실제 상용화 시점은 구분해서 볼 필요가 있다"고 강조했다.