SK하이닉스, '개발총괄'에 안현 사장…"1등 HBM 경쟁력" 특명

핵심 기능별 책임과 권한 강화한 ‘5개 C-Level’ 체제 도입

전사 개발 역량을 결집한 ‘개발총괄’에 안현 사장 승진·선임

SK하이닉스 연구원들이 경기도 이천공장에서 반도체 생산 과정을 지켜보고 있다.(자료사진)ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 'C-Level'(C 레벨) 중심의 경영 체제를 도입, AI(인공지능) 반도체 등 미래 기술 경쟁력 제고에 신속한 의사결정이 가능하도록 했다.

특히 개발총괄(CDO)에 안현 N-S 커미티 담당이 사장으로 승진, 선임됐다. 메모리 제품 개발을 진두지휘하는 데 사장급 인사를 선임한 것은 HBM(고대역폭메모리) 등 차세대 기술 개발에 만전을 기해 '1등' 경쟁력을 유지하겠다는 포부로 읽힌다.

SK하이닉스는 5일 이 같은 내용을 골자로 한 2025년 조직개편 및 임원인사를 실시했다.

이번 조직개편 핵심은 SK하이닉스는 곽노정 CEO를 중심으로 C 레벨 핵심 임원들이 주요 의사결정을 신속하게 내릴 수 있도록 'C 레벨' 중심 경영 체제를 도입한 것이다.

이에 따라 SK하이닉스는 사업부문을 AI 인프라(CMO), 미래기술연구원(CTO), 개발총괄(CDO), 양산총괄(CPO), 코퍼레이션 센터 등 5개 조직으로 구성했다. 부문별 관련 기능을 통합해 '원 팀' 의사결정이 가능하도록 했다.

신설된 C 레벨은 2곳으로, 개발총괄(CDO)과 양산총괄(CPO)이다. 개발총괄에는 N-S 커미티 안현 담당이 사장으로 승진해 선임됐다. 안 사장은 미래기술연구원과 경영전략, 솔루션 개발 등 핵심 보직을 거친 인물로, 올해 주주총회에서 사내이사에 선임돼 회사의 기술과 전략 등 주요 의사결정에 참여해왔다.

양산총괄에는 기존 제조/기술 담당 임원인 김영식 담당이 맡는다. 김영식 담당은 메모리 전(前) 공정과 후(後) 공정 양산을 총괄하며, 공정간 시너지를 극대화하는 데 집중할 예정이다. 특히 용인 반도체 클러스터를 포함해 국내외 건설할 팹(Fab) 생산 기술 고도화를 통합적 관점에서 주도하게 된다.

이로써 SK하이닉스는 CEO인 곽노정 사장을 비롯해 김주선 CMO 사장, 차선용 CTO 담당, 안현 CDO 사장, 김영식 CPO 담당, 송현종 코퍼레이션 센터 사장으로 C 레벨 라인업을 꾸리게 됐다.

사장급 인사를 개발총괄에 발탁한 것은 그만큼 차세대 메모리 기술이 중요하다는 판단이다. SK그룹은 안 사장 선임에 대해 "HBM 시장 리더십 공고화 및 D램/낸드 기술경쟁력 강화"를 들었다. 본원 경쟁력을 끌어올려 명실상부 1등 메모리 기업 지위를 유지해야 한다는 의미다.

이중에서도 AI 가속기 핵심 부품으로 꼽히는 HBM 기술 확보가 요구된다. AI칩 선두주자인 엔비디아가 올해 말부터 블랙웰(Blackwell) 양산을 본격화한 데 이어, 후속 모델인 루빈(Rubin)도 2026년 출시를 계획하고 있어 HBM 정상 개발·공급이 필수적이다.

이들 AI 가속기에는 HBM3E(5세대 HBM), HBM4(6세대 HBM)이 각각 탑재된다. 엔비디아 로드맵과 보조를 맞춰 차세대 HBM을 더 빨리, 더 많이 출하하는 곳이 메모리 실적 우위를 이어갈 전망으로 SK 지배력을 유지하려면 속도전을 펼쳐야 한다.

SK하이닉스는 36GB(기가바이트)를 구현한 HBM3E 12단을 9월 말부터 양산중이다. 지난 3월에는 HBM3E 8단을 엔비디아에 공급했다.

여기에 안주하지 않고 SK하이닉스는 차세대 HBM 개발에 적극 나서고 있다. 곽노정 사장은 최근 최대 용량인 48GB가 구현된 16단 HBM3E을 개발중이라고 밝혀, 다시 한 번 기술 격차를 이어가겠다는 의지를 드러냈다.

안현 SK하이닉스 개발총괄 사장ⓒSK하이닉스

고객사의 선택을 받기 위해서는 안정적인 수율(양품 비율)이 요구된다. 이 수율을 좌우하는 건 디테일이다. D램 칩을 쌓는 과정에서 밑으로 압력이 가해지면 웨이퍼 휨(Warpage) 현상이 생기는 데, 이를 극복하면서 D램 칩을 안정적으로 쌓는 기술이 필요하다.

이 적층 방식은 MR-MUF(매스리플로우-몰디드언더필), TC-NCF(열압착-비전도성 접착 필름) 등으로 나뉘며 SK하이닉스가 전자 방식을 택하고 있다. 다른 백업 공정인 하이브리드 본딩(Hybrid bonding) 기술도 끌어올려야 한다. 하이브리드 본딩을 적용하면 공간이 더 확보되며 열 저항 효율도 개선돼 차세대 솔루션으로 평가받는다.

이밖에 최고의 경쟁력을 갖춘 ‘비욘드 베스트(Beyond Best)’ 제품과 AI 시대에 시스템 최적화를 위한 ‘옵티멀 이노베이션(Optimal Innovation)’ 제품 개발에서도 성과를 내야한다.

비욘드 제품 중 D램에서는 1cnm 기반 LPDDR5와 LPDDR6가, 낸드에서는 PCIe 6세대 SSD와 고용량 QLC 기반 eSSD, UFS 5.0이 꼽힌다. 옵티멀 이노베이션 제품에서는 여러 메모리를 연결해 대용량을 구현하는 CXL, 초고용량 QLC eSSD 등이 거론된다.

CXL은 고성능 컴퓨팅 시스템에서 CPU/GPU, 메모리 등을 효율적으로 연결해 대용량, 초고속 연산을 지원하는 차세대 인터페이스를 말한다.

특히 커스텀(Custom) HBM의 경우, 팹리스(엔비디아)-파운드리(TSMC)와의 3각 체제가 고도화되는 만큼 긴밀한 협업이 필요하다. 구체적으로 고객 IP&시스템 디자인, 로직 파운드리&후공정(OSAT) 기술 협력이 예상돼 '개발총괄', '양산총괄'의 역할이 막중하다.

한편 SK하이닉스는 HBM, D램 등 주요 제품 경쟁력을 강화하는데 탁월한 성과를 낸 조직에서 다수의 신규 임원을 선임해 차세대 메모리 기술 개발에 박차를 가하도록 했다.

곽노정 대표이사 사장은 "회사 구성원들이 하나가 돼 노력한 결과 올해 HBM, eSSD 등 AI 메모리 분야에서의 기술 경쟁력을 확고히 했다”며 “괄목할만한 성장을 이뤘지만 경영환경이 빠르게 변하고 있는 만큼, 이번 조직개편과 임원 인사를 통해 기존 사업과 미래 성장 기반을 리밸런싱(Rebalancing)해 AI 메모리 리더십을 더욱 공고히 하겠다”고 말했다.