中 CXMT “차세대 서버용 D램 연내 출시”…삼성전자보다 먼저?

중국 안후이성 허페이시에 있는 창신메모리 본사 전경. ⓒ 로이터/연합뉴스

중국 최대 메모리 반도체 기업 창신메모리(CXMT)가 올해 안에 차세대 D램 기술을 적용한 서버용 메모리 제품을 출시하겠다고 밝혔다. 글로벌 D램 수요가 인공지능(AI) 인프라 붐에 따라 계속 증가할 것으로 예상되는 만큼 차세대 기술 경쟁에서도 중국의 도전이 거세지고 있다는 관측이 나온다.

12일 홍콩 사우스차이나모닝포스트(SCMP)에 따르면 차오칸위 창신메모리 최고경영자(CEO)는 지난 10일 상하이 콘퍼런스에서 올해 말까지 4F² 기술을 적용한 새로운 서버용 D램 제품을 출시할 계획이라며 이 기술과 관련해 “핵심적인 진전”을 이뤘다고 말했다. 그러면서 이 제품은 기업용 서버를 위해 설계한 차세대 D램이라고 덧붙였다.

차오 CEO는 그러나 구체적인 제품 사양이나 출시 시점은 공개하지 않았다. 4F²는 상업용 D램에 적용되는 6F²보다 메모리 셀(데이터 저장 최소 단위) 면적을 줄이되 트랜지스터를 수직으로 배치해 집적도를 높이는 설계 기술이다. 데이터 1비트를 저장하는 셀 하나의 면적을 기존보다 약 33% 줄이는 기술이다.

F는 반도체 공정에서 구현할 수 있는 최소 선폭을 뜻한다. 기존 수평형 트랜지스터의 채널을 수직 방향으로 배치해 같은 면적에 더 많은 데이터를 저장할 수 있다. 누설 전류를 줄이고 전력 효율을 높이는 것이다. 메모리 공정 초미세화로 인해 기존 방식대로는 성능을 개선하는 것이 한계에 봉착한 상황에서 셀 구조 자체를 바꿔 메모리 집적도를 높이는 것이다.

삼성전자·SK하이닉스·마이크론 등 글로벌 메모리 3사도 4F²를 포함해 차세대 기술 개발에 총력을 기울여왔다. 이번 발표는 창신메모리가 모바일·PC 등에 쓰이는 제품군에 주력하던 데서 한 발 나아가 글로벌 메모리 3사가 주도하는 서버용 D램 등 고부가가치 영역과 차세대 기술 경쟁에서도 추격 고삐를 당기겠다는 의지를 드러낸 것으로 읽힌다.

SCMP는 "SK하이닉스가 지난해 4F² 기술 로드맵을 공개했고, 삼성전자는 2028년까지 새 기술을 적용한 10㎚(나노미터·10억분의 1m) 이하 D램을 양산하겠다고 밝혔다“고 전했다.

다만 창신메모리가 연내 실제 양산에 들어갈 수 있을지는 불투명하다. 창신메모리는 4F²에 맞춰 주요 제조 공정을 재설계했다고 밝혔지만 구체적인 제품 사양과 출시일, 양산 규모를 공개하지 않았다. 캐나다 반도체 분석업체 테크인사이츠는 4F² D램을 차세대 메모리 기술의 주요 전환점으로 평가하면서도 “향후 경쟁의 핵심은 단순히 누가 먼저 미세화하느냐가 아니라 새로운 구조를 얼마나 높은 수율과 신뢰성으로 구현하고 검증할 수 있느냐에 달려 있다”고 지적했다.