구혁채 1차관, 양자 강국 도약 초석 기초연구 현장 점검

과학기술정보통신부 전경.ⓒ데일리안DB

구혁채 과학기술정보통신부 제1차관은 3일 양자 소재 연구를 선도하는 기초과학연구원(IBS) 이차원 양자 헤테로구조체 연구단을 방문해 주요 연구 현장을 살피고, 연구자들과 간담회를 가졌다.

이번 방문은 제1차 양자과학기술 및 양자산업 육성 종합계획 이행을 위해 양자 컴퓨팅 및 양자 통신의 핵심 기반이 되는 양자 소재 분야의 전략적 중요성을 확인하고 한계 극복의 새로운 양자 물질 개발 등 양자 기초과학 육성 방향 모색을 위해 마련됐다.

이차원 양자 헤테로구조체 연구단은 그래핀, 육방정계 질화붕소(h-BN) 등 서로 다른 이차원 소재를 원자 층 단위로 정교하게 쌓아 올리는 ‘헤테로 구조체’를 통해 세상에 없던 양자 물성을 창조하는 연구를 수행하고 있다.

연구단을 이끄는 신현석 단장은 차세대 반도체 및 양자 소자의 필수 소재인 초저유전 비정질 질화붕소를 개발하는 등 양자 소재 분야의 세계적 석학으로 손꼽히며 연구단이 연구 중인 소재는 향후 양자컴퓨터 성능과 양자 센서 정밀도 향상의 핵심 기술로 활용될 것으로 기대된다.

이날 구 차관은 양자기술첨단기기센터 등 첨단 연구장비 운용 현황과 연구단 실험 공간을 점검하고 연구진을 격려하는 한편, IBS와 성균관대 등 선도 연구그룹이 국내 양자 분야 기초연구 생태계가 발전에 기여할 수 있도록 학술･인력 교류, 연구 장비 공동 활용 확대 등 역할 강화를 당부했다.

이어진 간담회에서는 연구자들이 우리의 양자 물질·물성 분야 기초연구 현황과 세계의 연구 동향을 소개하고 양자 분야 기초연구 인력 양성, 핵심 소재 기술 자립화, 산·학·연 협력 강화 등 우리나라 양자과학기술 경쟁력 확보 방향을 논의했다.

구 차관은 “양자 기술은 미래 산업의 판도를 바꿀 전략 기술로, 그 뿌리가 되는 소재 연구의 중요성은 아무리 강조해도 지나치지 않다”며 “우리 연구자들이 단기 성과에 연연하지 않고 미래를 내다보는 도전적 기초연구에 전념할 수 있도록 안정적 지원을 공고히 하겠다”고 밝혔다.