삼성전자, 최고 명예 'IEEE 펠로' 배출…반도체 기술력 입증

세계 최대 학회IEEE…송기봉 부사장·한진우 상무 선정

차세대 이동통신 기술 상용화 및 3D D램 개발 공로 인정

송기봉 삼성전자 반도체(DS)부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI연구소장 부사장.ⓒ삼성전자

삼성전자 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문에서 미국 전기전자공학회(IEEE) 펠로(석학회원)가 배출됐다. IEEE는 세계 최대 규모의 전기·전자·컴퓨터·통신 분야 학회다.

22일 삼성전자삼성전자 반도체 뉴스룸에 따르면 DS부문 DSRA(미주 반도체연구소) 시스템LSI 연구소장 송기봉 부사장과 반도체연구소 D램 TD(기술개발)팀 한진우 상무가 2026년 IEEE 펠로로 선정됐다.

IEEE 펠로우는 미국 전기전자공학회가 회원에게 부여하는 최고 명예 등급이다. 전체 회원의 상위 0.1%만 오를 수 있는 권위 있는 자격이다. 전기·전자공학 전반에서 10년 이상 경험을 쌓고, 통신·반도체 등 다양한 분야에서 탁월한 연구개발 성과를 통해 산업과 사회 발전에 기여한 인물을 대상으로, 매년 IEEE 이사회가 엄정한 기준에 따라 선정한다.

송기봉 삼성전자 반도체(DS)부문 미주 반도체연구소(DSRA) 시스템LSI 연구소장 부사장은 모뎀, 커넥티비티, 온디바이스 인공지능(AI), 시스템 온 칩(SoC) 기술 개발을 이끌고 있다. 송 부사장은 오랜 기간 셀룰러 통신 분야에서 모뎀-고주파(RF) 시스템 설계 및 성능 최적화에 기여했다.

이번 펠로우 선정에도 업계 최초 5G 모뎀 개발과 엑시노스 모뎀 5400과 엑시노스 2500에 적용된 비지상 네트워크(NTN) 기술 기반 ‘위성 응급 서비스’ 구현 등 차세대 이동통신 기술의 상용화를 이끈 성과가 높은 평가를 받았다.

미주 반도체연구소는 앞으로 6G와 피지컬 AI 시대에 맞게 통신, 연산, 센싱이 만나는 지점을 중심으로 새로운 반도체 기술과 제품을 만들며 미래 혁신을 주도해 나간다는 계획이다.

삼성전자 DS부문 반도체연구소 D램TD팀 한진우 상무ⓒ삼성전자

한진우 삼성전자 DS부문 반도체연구소 D램 TD팀 상무는 반도체 미세화 한계를 극복하기 위한 차세대 3D D램 연구 성과를 인정받았다. 3D D램은 D램 셀을 평면이 아닌 수직 방향으로 쌓아 칩 면적당 저장 용량을 확장하는 방식으로, 차세대 메모리 기술 핵심으로 주목받고 있다. 한 상무는 3차원 구조를 메모리 셀에 적용하는 D램 개발을 주도하고 있다.

한 상무는 200건 이상의 특허와 160편 이상의 SCI급 논문을 발표하며, 메모리, 로직, 센서 등 다양한 분야에서 연구 성과를 쌓아왔다. 차세대 3D D램 개발 공로와 그동안의 연구 성과를 인정받아 2026년 IEEE 펠로우로 선정됐다.