SK하이닉스, 메모리 업계 최초 양산용 ‘High NA EUV’ 도입

ASML ‘EXE:5200B’ 이천 M16 반입…정밀도 1.7배·집적도 2.9배 향상

SK하이닉스 청주캠퍼스ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 차세대 반도체 제조 핵심 장비인 ‘High NA(개구수) EUV’를 메모리 업계 최초로 양산 라인에 도입했다. 회사는 이 장비를 통해 차세대 D램 개발 속도를 끌어올리고 AI 메모리 시장에서 기술 리더십을 강화한다는 계획이다.

3일 SK하이닉스는 이천 M16 팹(Fab)에 네덜란드 ASML의 ‘트윈스캔 EXE:5200B’를 반입하고 기념 행사를 개최한다고 밝혔다. 행사에는 ASML코리아 김병찬 사장, SK하이닉스 차선용 CTO(미래기술연구원장), 이병기 부사장(제조기술담당) 등이 참석한다.

High NA EUV는 기존 EUV보다 더 큰 NA(개구수)를 적용해 해상도를 크게 높인 차세대 노광 장비다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)을 적용해 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하고, 집적도는 2.9배 높일 수 있다. 이를 통해 웨이퍼당 칩 생산량이 늘어나고 전력 효율과 성능 개선도 기대된다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 처음 도입한 뒤 최첨단 D램 제조에 지속 확대해왔다. 그러나 미래 반도체 시장이 요구하는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV를 넘어선 기술이 필요했고, 이번 장비 도입으로 EUV 공정 단순화와 생산성 향상을 동시에 꾀할 수 있게 됐다.

차선용 CTO는 “이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보했다”며 “급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 시장을 선도하겠다”고 밝혔다.

ASML코리아 김병찬 사장도 “High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술”이라며 “SK하이닉스와 긴밀히 협력해 기술 혁신을 앞당기겠다”고 말했다.