삼성전자 반도체 핵심기술 중국에 넘겨…前연구원 징역 7년

산업기술보호법 위반 혐의 1심 선고

中 CXMT 이직 과정서 D램 기술 유출

서울 서초구 삼성전자 서초사옥.ⓒ데일리안DB

삼성전자 핵심 반도체 기술을 중국에 넘긴 혐의로 재판에 넘겨진 전직 연구원이 실형을 선고받았다.

서울중앙지법 형사28부(재판장 한대균)는 22일 산업기술보호법 위반 등 혐의로 구속기소된 전모(56)씨에게 징역 7년을 선고했다.

전씨는 전직 삼성전자 부장 김모씨와 함께 중국 반도체 업체 CXMT(창신메모리테크놀로지)로 이직하면서 삼성전자의 D램 반도체 공정 기술을 유출한 혐의로 지난해 5월 구속기소됐다.

유출된 기술은 삼성전자가 1조6000억원을 투자해 세계 최초로 개발한 10나노대 D램 최신 공정기술로 전해졌다.

전씨는 해당 기술을 넘기는 대가로 CXMT로부터 계약 인센티브 3억원, 스톡옵션 3억원 등을 포함해 6년간 29억원을 받은 것으로 조사됐다.

재판부는 국가 핵심기술이 유출된 점, 이 과정에서 전씨가 공모한 점 등을 모두 유죄로 판단하면서 "기업은 물론 대한민국에도 손실을 입혔기 때문에 엄벌이 불가피하다"고 지적했다.