DB하이텍, 650V GaN HEMT 공정 확보…차세대 전력반도체 시장 본격 진출

10월 말 MPW 제공…전기차·AI 데이터센터·5G 등 고성장 수요 대응

DB하이텍 부천캠퍼스 전경.ⓒDB하이텍

DB하이텍이 차세대 전력반도체 시장 공략에 속도를 낸다. 8인치 파운드리 전문업체인 DB하이텍은 650V 전계모드(E-Mode) GaN HEMT(고전자이동도 트랜지스터) 공정 개발을 완료하고, 이달 말 고객이 제품을 시험 생산할 수 있는 전용 MPW(멀티 프로젝트 웨이퍼) 제공에 나선다고 10일 밝혔다.

GaN(갈륨나이트라이드) 기반 전력반도체는 기존 실리콘(Si) 대비 고전압·고주파·고온 환경에서 안정적으로 동작하고 전력 효율도 높아, SiC(실리콘카바이드)와 함께 차세대 전력반도체로 주목받고 있다. 시장조사업체 욜 디벨롭먼트에 따르면 글로벌 GaN 시장은 2025년 5억3000만달러에서 2029년 20억1300만달러 규모로 연평균 약 40% 성장할 전망이다.

DB하이텍이 확보한 650V E-Mode GaN HEMT 공정은 고속 스위칭과 안정성이 특징으로, 전기차 충전기, AI(인공지능) 데이터센터 전력변환기, 5G 통신 장비, 로봇 등 고효율·초소형화가 요구되는 분야에서 활용도가 높다. 회사는 이어 200V GaN 공정과 추가 650V 공정 개발을 2026년 말까지 단계적으로 진행하고, 시장 수요에 따라 더 넓은 전압대로 확장할 계획이다.

DB하이텍은 Si 기반 전력반도체에서도 글로벌 기술력을 인정받은 바 있다. 세계 최초로 0.18㎛ BCDMOS(복합전압 소자) 공정을 개발하며 경쟁력을 확보했으며, 이번 GaN 공정 추가로 화합물 반도체 분야까지 사업 영역을 넓혔다.

생산 능력 확대도 추진 중이다. 충북 음성 상우캠퍼스에 클린룸 증설을 진행하고 있으며, 완공 시 월 3만5000장의 8인치 웨이퍼를 추가 생산할 수 있어 총 생산능력이 현재 15만4000장에서 약 19만 장으로 23% 늘어날 전망이다.

한편, DB하이텍은 오는 15일부터 18일까지 부산 벡스코에서 열리는 ‘국제탄화규소학술대회(ICSCRM 2025)’에 참가해 SiC, GaN, BCDMOS 등 최신 전력반도체 기술을 선보일 계획이다.