'1초만에 영화 12편'...삼성전자, 세계 최초 '12Gb LPDDR5' 양산

역대 최고 성능으로 차세대 모바일 D램 시대 열어

5G 폰 시장 선점 나서...16Gb 이상 제품 계획

삼성전자 12Gb LPDDR5 D램.ⓒ삼성전자

역대 최고 성능으로 차세대 모바일 D램 시대 열어
5G 폰 시장 선점 나서...16Gb 이상 제품 계획

삼성전자가 1초만에 풀HD급 영화를 다운로드 받을 수 있는 모바일D램 양산에 들어갔다. 역대 최고 성능으로 5세대 이동통신(5G) 스마트폰 시장 선점에 나섰다.

삼성전자는 5G 통신 시대에 맞춰 역대 최고 속도를 구현한 '12기가비트(Gb) LPDDR5(Low Power Double Data Rate 5) 모바일 D램'을 세계 최초로 양산했다고 18일 밝혔다.

모바일 D램은 모바일 기기의 두뇌인 애플리케이션 프로세서(AP·Application Processor)의 연산을 돕는 역할을 한다.

LPDDR5는 스마트폰·태블릿과 같은 모바일 기기에 사용되는 저전력 특성을 갖는 D램의 규격을 말한다. MDDR, LPDDR2, LPDDR3, LPDDR4, LPDDR4X, LPDDR5로 구분하며 숫자가 높아질수록 데이터 처리 속도가 최대 2배 빠르다.

삼성전자는 이달 말부터 2세대 10나노급(1y) 12Gb 칩 8개를 탑재한 '12기가바이트(GB) LPDDR5 모바일 D램' 패키지를 양산해 차세대 플래그십 스마트폰 메모리 시장을 선점하고 고객들의 공급 확대 요구에 빠르게 대응해 나간다는 전략이다.

이번 양산으로 삼성전자는 12GB LPDDR4X 모바일 패키지 양산을 시작한 지 5개월 만에 '12Gb LPDDR5 모바일 D램'을 양산하며 프리미엄 메모리 라인업을 대폭 강화했다.

'12Gb LPDDR5 모바일 D램'은 현재 하이엔드 스마트폰에 탑재된 기존 모바일 D램(LPDDR4X·4266Mb/s)보다 약 1.3배 빠른 5500Mb/s의 속도로 동작한다. 이 칩을 12GB 패키지로 구현했을 때 풀HD급 영화(3.7GB) 약 12편 용량인 44GB의 데이터를 1초 만에 처리할 수 있다.

또 초고속 모드에서 저전력 동작 구현을 위해 새로운 회로 구조 (clocking·training·low power feature)를 도입했고 기존 제품대비 소비전력을 최대 30% 줄였다.

삼성전자는 LPDDR5 양산으로 차세대 5G 플래그십 스마트폰에서 초고화질 영상 촬영, 인공지능(AI)과 머신러닝(ML)을 안정적으로 구현하면서도 배터리 사용시간을 더욱 늘릴 수 있는 '모바일 D램 솔루션'을 제공할 수 있게 되었다.

삼성전자는 글로벌 고객들의 수요에 맞춰 내년부터 평택캠퍼스 최신 라인에서 차세대 LPDDR5 모바일 D램 본격 양산 체제 구축을 검토하고 있다. 올해는 5500Mbps 제품을 메인 공급하지만 내년에는 차세대 시스템에서 요구하는 6400Mbps 제품을 메인 공급한다는 계획이다.

삼성전자는 이번 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산에 이어 향후 용량과 성능을 더욱 높인 16Gb LPDDR5 D램도 선행 개발해 플래그십 스마트폰 시장은 물론 프리미엄 모바일 시장까지 본격 공략해 초격차 사업 경쟁력을 지속 강화해 나갈 계획이다.

이정배 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 부사장은 "현재 주력 공정인 2세대 10나노급(1y)을 기반으로 차세대 LPDDR5 D램의 안정적인 공급 체제를 구축하게 돼 글로벌 고객들이 플래그십 스마트폰을 적기에 출시하는데 기여하게 됐다"고 강조했다.

이어 "향후에도 차세대 D램 공정 기반으로 속도와 용량을 더욱 높인 라인업을 한 발 앞서 출시하여 프리미엄 메모리 시장을 지속 성장시켜 나갈 것"이라고 강조했다.

□ 삼성전자 대용량 모바일 D램 양산 연혁

- 2009년 256MB (50나노급 1Gb MDDR, 400Mb/s)
- 2010년 512MB (40나노급 2Gb MDDR, 400Mb/s)
- 2011년 1GB/2GB (30나노급 4Gb LPDDR2, 1066Mb/s)
- 2012년 8월 2GB (30나노급 4Gb LPDDR3, 1600Mb/s)
- 2013년 4월 2GB (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
- 2013년 7월 3GB (20나노급 4Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
- 2013년 11월 3GB (20나노급 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
- 2014년 9월 3GB (20나노 6Gb LPDDR3, 2133Mb/s)
- 2014년 12월 4GB (20나노 8Gb LPDDR4, 3200Mb/s)
- 2015년 8월 6GB (20나노 12Gb LPDDR4, 4266Mb/s)
- 2016년 9월 8GB (10나노급 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
- 2018년 4월 8GB 개발 (10나노급 8Gb LPDDR5, 6400Mb/s)
- 2019년 2월 12GB (10나노급 16Gb LPDDR4X, 4266Mb/s)
- 2019년 6월 6GB (10나노급 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s)
- 2019년 7월 12GB (10나노급 12Gb LPDDR5, 5500Mb/s)