올해 전 세계 반도체 시설투자 100조…삼성 '독주체제'

IC인사이츠 "3D 낸드 과잉설비 우려...중국 후발업체 견제에는 효과적"

삼성전자 반도체 시설투자 추이.(자료:회사 사업보고서)ⓒIC인사이츠

IC인사이츠 "3D 낸드 과잉설비 우려...중국 후발업체 견제에는 효과적"

올해 전 세계 반도체 업계의 시설투자 금액이 100조원에 달할 것으로 전망되는 가운데 삼성전자가 전체의 20% 이상을 차지할 것으로 보인다.

사상 최대 규모의 투자에 나서는 삼성의 전략으로 인해 과잉설비에 따른 부작용 우려가 제기되고 있지만 중국 등 후발업체들의 견제에는 효과를 발휘할 것이라는 분석이 나오고 있다.

17일 글로벌 시장조사기관 IC인사이츠에 따르면 올해 글로벌 반도체 업체들의 시설투자 규모는 총 908억달러(약 100조원)로 예상되고 있다. 이는 연초 전망치였던 723억달러보다 25.6% 상향조정된 것이다.

전 세계 메모리반도체 1위 삼성전자의 적극적인 투자 전략이 전체 투자 규모를 키우고 있다. 올해 인텔을 제치고 전 세계 종합반도체 업계 1위로 오를 것이 유력한 삼성전자는 올해 약 260억달러를 투자, 전체의 28.6%를 차지할 것으로 추정되고 있다.

이는 지난해(113억달러) 대비 2배 이상 증가한 규모로 시스템반도체(비메모리반도체) 1위인 인텔과 파운드리(위탁생산)업계 1위 대만 TSMC의 투자액을 합친 것보다 많은 수치다.

빌 맥클린 IC인사이츠 대표는 "지난 37년간 반도체시장 동향을 조사한 이래 그동안 이런 공격적인 설비투자를 본 적이 없다"면서 "업계 역사상 초유의 일"이라고 강조했다.

삼성전자의 올해 반도체 시설투자를 부문별로 보면 3D낸드플래시 부문이 140억달러로 전체의 절반 이상으로 D램과 파운드리 부문이 각각 70억달러와 50억달러로 추산됐다.

IC인사이츠는 보고서에서 삼성전자의 대규모 설비투자가 장기적으로 업계에 부정적인 영향을 미칠 것이라고 진단했다. 특히 3D 낸드 플래시 시장에서 SK하이닉스·마이크론·도시바·인텔 등도 설비투자 경쟁에 진입하는 상황에서 과잉설비 우려가 커질 것이라고 지적했다.

다만 메모리반도체 시장에서의 경쟁력 강화를 노리고 있는 중국 등 후발 업체들의 견제에는 효과가 있을 것으로 예상했다. 중국 업체들의 추격의 예봉을 사전에 꺾으면서 SK하이닉스와의 양강 구도를 유지할 수 있는 효과가 있을 것이라는 분석이다.

IC인사이츠는 "중국 신생업체들이 기존 메모리업체들과의 조인트벤처 설립 등과 같은 방식으로 획기적인 시도가 없는 한 기존 글로벌 선도 업체들과 경쟁체제를 구축하기는 하기는 어려워 보인다"고 분석했다.