SK하이닉스, 반기 영업익 2조 ''역대 최대' … 상승세 이을까?

2Q 매출 3조9229억·영업익 1조839억 ¨"D램, 낸드플래시 등 메모리반도체 수요 덕"

SK하이닉스 "낸드플래시출하량 20% 늘릴예정 ¨ D램 신규증설 없다"

SK하이닉스 임직원들이 경기도 이천 300mm 공장 내부에서 반도체를 생산하고 있다. ⓒSK하이닉스

SK하이닉스가 2분기 D램과 낸드플래시 등 메모리 반도체 수요 강세에 힘입어 반기 영업이익이 2조원대를 돌파하면서 역대최대를 기록했다. 회사측은 올 하반기 낸드플래시의 출하량이 20% 늘어날 것으로 전망하면서 올 하반기에도 사상최대 영업이익으로 이어갈지에 관심이 쏠리고 있다.

SK하이닉스는 2분기 영업이익이 1조839억원을 기록했다고 24일 공시했다.

이는 지난해 2분기보다 2.7% 줄었으나 전분기에 비해서는 2.5% 늘었다. 1조1000억원 내외로 봤던 증권가 애널리스트들의 예상치에 부합하는 수준이다.

1분기에 이어 두 분기 연속 영업이익이 1조원을 넘기면서 반기 영업이익이 2조1411억원으로 역대 최대를 기록했다.

작년 동기 대비 영업이익이 3% 감소한 이유는 환율 하락과 노사협상에 따른 인건비 증가 때문이라는 게 SK하이닉스의 설명이다.

2분기 매출액은 3조9229억원으로 지난해 2분기와 비슷했고, 전분기보다는 4.8% 증가했다.
당기순이익은 법인세 비용 등이 반영돼 6738억원을 기록했다.

ⓒSK하이닉스

김준호 SK하이닉스 코퍼레이트센터장 사장은 "법인세의 경우 지난해 이월결손금이 있어 상당히 낮은 수준이었지만 올해부터 이월결손금이 모두 소진돼 정상적인 법인세를 내게 됐다"며 "2분기 법인세는 1840억원이고 향후 분기에도 세전이익의 약 18~20% 범위 내 법인세가 계속 예상된다"고 말했다.

또 해외 전환사채(CB) 전환 옵션에 대한 평가 손실도 순이익 감소에 영향을 줬다.

김 사장은 우리가 갖고 있는 외화 CB 5억달러에 대한 전환옵션 평가손실로 2200억원이 영업외 손실이 발생했다"며 "올 하반기에는 주가 변화가 크지 않을 것으로 예상돼 CB관련 영업손실이 크진 않을 것"이라고 설명했다.

이외에도 늘어난 인건비와 성과 보상 등도 실적에 영향을 줬다.

김 사장은 "지난달 노사협상이 완료돼 인건비가 약 7% 증가했고 이에 따른 소급적용으로 2분기 실적에서 인건비가 증가했다"며 "이 밖에 상반기 실적에 따른 성과 보상으로 일시적 비용이 증가한 부분도 있다"고 말했다.

재무안정성도 개선됐다. 2분기 말 기준 차입금은 4조1510억원으로 전분기보다 6130억원 줄고, 순차입금은 1조700억원으로 5560억원 감소했다. 차입금 비율은 28%로 전분기보다 6%포인트, 순차입금 비율은 7%로 5%포인트 낮아졌다.

이같은 실적 개선은 D램과 낸드플래시의 순조로운 미세공정 전환과 모바일 반도체의 수요 회복의 결과로 분석된다.

2분기 D램 출하량은 20나노급 공정기술 비중 확대로 당초 계획보다 13% 증가했고 평균판매가격은 1분기보다 5% 하락했다고 SK하이닉스는 설명했다.

낸드플래시는 10나노급 공정기술의 비중 확대와 수요 회복으로 출하량이 54% 늘고 평균판매가격은 19% 내렸다. 가격이 하락한 이유는 당초 계획과 달리 일부 제품이 응용복합 제품으로 사용되지 못했기 때문이다.

◇3분기엔 낸드플래시 출하량 20% 늘릴 예정”
한편 메모리 반도체 시장은 3분기 이후에도 수급 안정이 유지될 것으로 SK하이닉스는 전망했다.

D램은 PC와 서버용 D램 수요가 유지되는 가운데 모바일기기 신제품 출시와 중국 LTE(롱텀에볼루션) 통신시장이 확대되면서 견조한 수급 상황이 이어질 것으로 봤다.

낸드플래시도 모바일 제품 중심의 수요 증가와 PC용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 시장의 성장으로 안정적인 수요가 이어질 것으로 예상했다.

이런 가운데 반도체 업체들의 보수적인 투자로 공급량은 제한될 것으로 관측했다.

김준호 사장은 “3분기 2Y 공정 D램 비중을 본격적으로 확대, 출하 증가율은 한 자릿수 중반대로 예상한다”며 “낸드플래시의 경우 1X 제품 비중을 보다 확대해 3분기 약 20% 중반 출하량이 증가할 것”이라고 말했다. 김 사장은 낸드플래시 사업에 대해 “인수합병(M&A)을 포함한 다양한 방법으로 응용복합 제품군을 확대할 것”이라며 “이를 통해 경쟁사와의 이익 격차를 줄여나가겠다”고 밝혔다.

SK하이닉스는 앞으로 20나노 중반급 D램의 비중을 본격적으로 확대해 원가 경쟁력을 강화하고, 시장 상황에 대응한 유연한 제품 포트폴리오 구성으로 수익성을 극대화하는 전략을 제시했다.

낸드플래시는 모바일과 SSD 시장을 중심으로 10나노급 제품 비중을 확대하는 한편 트리플레벨셀(TLC)과 3D 제품 개발을 연내 완료해 고객사에 샘플을 공급할 계획이라고 밝혔다.

TLC는 우선 SSD 시장 진입을 목표로 하고 있다. 모바일에서도 TLC를 채용할 가능성이 있기 때문에 내년 상반기 중에는 의미있는 매출이 나올 것이라고 SK하이닉스는 전망했다.

이와 함께 최근 인수한 바이올린메모리사의 PCIe카드 부문과 소프텍 벨라루스의 펌웨어 사업부를 바탕으로 응용복합 제품 경쟁력 강화에도 힘을 쏟을 방침이다.

◇“D램 신규증설 없다”
한편 경기도 이천 공장의 신규 생산라인(M14)은 2015년 하반기 초 완공을 목표로 골조 공사를 진행이라고 SK하이닉스는 밝혔다.

기존 생산라인 M10에 있는 장비를 M14로 옮기는 과정에서 발생하는 생산 차질을 최소화하고자 SK하이닉스는 내년 하반기에 필요한 투자를 집행할 계획이다.

M14로 설비 이전은 2016년 상반기에 완료될 예정이기 때문에 그때까지 생산 증대는 없을 것이라는 게 SK하이닉스의 설명이다.

이명영 SK하이닉스 재무본부장(전무)은 “2016년 상반기까지 D램 신규 증설은 없다”며 “그 이후에도 공정 전환에 따른 (웨이퍼 투입) 감소분을 일부 보완하는 정도에 그칠 것”이라고 밝혔다. 이 전무는 “내년 하반기 신규 공장인 M14가 완공되면 M10 D램 장비를 이전할 것”이라며 “하반기 장비 투자를 계획하고 있으나 이는 장비 이전에 따른 생산량 축소를 상쇄하기 위해 최소한의 수준으로 이뤄질 것”이라고 말했다.